MRT的日立維修工具，在點(diǎn)擊“校準(zhǔn)NV-RAM入口地址”菜單，首先會(huì)彈出工作目錄設(shè)置對(duì)話框，要求用戶設(shè)置當(dāng)前的工作目錄，用戶在設(shè)置好當(dāng)前的工作目錄后將會(huì)彈出“校準(zhǔn)NV-RAM入口地址”參數(shù)設(shè)置對(duì)話框，如圖2.2-6。
對(duì)話框中分為以下幾個(gè)部分：“設(shè)置模式”、“設(shè)置范圍”、“設(shè)置時(shí)間”、“設(shè)置目錄”，其中“設(shè)置模式”只針對(duì)“SA入口地址”有效。?“設(shè)置目錄”用于保存當(dāng)前NV-RAM信息，以便校準(zhǔn)失敗后恢復(fù)NV-RAM。
圖2.2-6校準(zhǔn)NV-RAM入口地址
一.SA入口地址
???????“校準(zhǔn)NV-RAM”用于搜索NV-RAM的入口地址并將其調(diào)整到正確的數(shù)值，“設(shè)置模式”分為“普通模式”和“遺留模式”，前者對(duì)所有硬盤都使用統(tǒng)一方法處理，在遇到硬盤Busy時(shí)沒有復(fù)位的過程，速度較快；后者為MRT特有功能針對(duì)硬盤進(jìn)行特殊處理，在遇到硬盤Busy時(shí)有硬復(fù)位的的操作，速度較慢。若使用普通模式無法校準(zhǔn)可以嘗試遺留模式。如果用戶勾選“是否寫入NV-RAM”當(dāng)校準(zhǔn)入口地址成功后會(huì)程序會(huì)將正確結(jié)果直接寫入NV-RAM，并重新識(shí)別硬盤。執(zhí)行結(jié)果顯示在日志頁(yè)。
1.??????SA入口地址校準(zhǔn)出錯(cuò)情況總結(jié)
有以下幾個(gè)原因?qū)е耂A入口地址校準(zhǔn)出錯(cuò)：
1.）NV-RAM或RAM讀取失敗
此時(shí)在Log頁(yè)將顯示以下信息：
Read NV-RAM………………………………………..Error
或者
Read RAM……………………………………………..Error
此錯(cuò)誤表明NV-RAM或者RAM不可讀取，可能由于硬盤密鑰不正確或者硬盤PCB板有問題，如果是前者請(qǐng)選擇正確的硬盤家族，如果是后者請(qǐng)確定PCB板是否連接正常，或者RAM芯片是否正常。
否則在Log頁(yè)將顯示以下信息：
Read NV-RAM………………………………………..OK
或者
Read RAM……………………………………………..OK
表明NV-RAM或者RAM讀取正常。
2.）關(guān)鍵字搜索失敗
此時(shí)在Log頁(yè)將顯示以下信息：
Searching for SA Tops table image in RAM………………………………………..Error
此錯(cuò)誤表明雖然RAM讀取正常但是讀取的信息不正確，可能是由于ROM信息不正確或者ROM沒有正確啟動(dòng)，導(dǎo)致引導(dǎo)信息沒有正確的加載到RAM中。
否則在Log頁(yè)將顯示以下信息：
Searching for SA Tops table image in RAM………………………………………..OK
正常信息表明ROM已經(jīng)正確引導(dǎo)在RAM中搜索到了匹配信息。
3.）保存NV-RAM文件失敗
此時(shí)在Log頁(yè)將顯示以下信息：
Saveing NV-RAM to file……………………………………………………………….. Error
此錯(cuò)誤表明備份NV-RAM出錯(cuò)，可能是由于工作目錄建立出錯(cuò)、該文件夾禁止寫入、殺毒軟件或者其他程序鎖定了工作目錄、系統(tǒng)問題等。
否則在Log頁(yè)將顯示以下信息：
Saveing NV-RAM to file………………………………………………………………..OK
表明NV-RAM正常備份。
3.）寫RAM出錯(cuò)
此時(shí)在Log頁(yè)將顯示以下信息：
Write RAM……………………………………………..Error
此錯(cuò)誤表明RAM不能寫入，可能由于硬盤PCB板有問題，確定PCB板是否連接正常，或者RAM芯片不正常。
否則在Log頁(yè)將顯示以下信息：
Write RAM……………………………………………..OK
4.）未知錯(cuò)誤
此時(shí)在Log頁(yè)將顯示以下信息：
UnKnow error………………………………………….?Termination operation！
HDD cannot ready！
此錯(cuò)誤表明硬盤在硬復(fù)位的過程中出現(xiàn)未知錯(cuò)誤，導(dǎo)致硬盤無法就緒，硬盤一直處于Busy狀態(tài)。由于用戶需要處理的硬盤實(shí)際情況各不相同，因此硬盤讀寫時(shí)間和就緒時(shí)間也各有不同，用戶可以在“校準(zhǔn)NV-RAM入口地址”參數(shù)設(shè)置對(duì)話框設(shè)置適當(dāng)?shù)某瑫r(shí)時(shí)間；或者在”工具?-> ATA超時(shí)設(shè)置”中設(shè)置適當(dāng)?shù)臅r(shí)間。
2.??總結(jié)
由于用戶實(shí)際處理的盤差別很大，導(dǎo)致SA入口地址校準(zhǔn)失敗的原因也各不相同。在實(shí)際情況中大多數(shù)用戶都是在更換PCB板后才需要校準(zhǔn)SA入口地址，由于更換過后硬盤的伺服信息和ROM適配信息都將發(fā)生變化，這些變化都可能導(dǎo)致SA入口地址校準(zhǔn)失敗，用戶必須根據(jù)實(shí)際情況結(jié)合維修經(jīng)驗(yàn)正確設(shè)置參數(shù)和重新?lián)Q板（寫ROM或NVRAM）才能發(fā)揮其完整功能。
二.User Data Adds
???????“User Data Adds”用于搜索用戶數(shù)據(jù)區(qū)入口地址并將其調(diào)整到正確的數(shù)值，
程序在NV-RAM中調(diào)整用戶數(shù)據(jù)區(qū)入口地址，由于修改NV-RAM后硬盤需要掉電重啟后才會(huì)有效，因此此過程將重復(fù)修改NV-RAM并對(duì)硬盤執(zhí)行掉電重啟，直到硬盤的扇區(qū)能夠正常訪問。如果用戶對(duì)硬盤的磁頭性能或盤片狀況不確定請(qǐng)慎用此功能。
1.?User Data Adds入口地址校準(zhǔn)出錯(cuò)情況總結(jié)
1.）NV-RAM讀取失敗
此時(shí)在Log頁(yè)將顯示以下信息：
Read NV-RAM………………………………………..Error
此錯(cuò)誤表明NV-RAM不可讀取，可能由于硬盤密鑰不正確或者硬盤PCB板有問題，如果是前者請(qǐng)選擇正確的硬盤家族，如果是后者請(qǐng)確定PCB板是否連接正常，或者RAM芯片是否正常。
否則在Log頁(yè)將顯示以下信息：
Read NV-RAM………………………………………..OK
表明NV-RAM或者RAM讀取正常。
2.）寫NV-RAM出錯(cuò)
此時(shí)在Log頁(yè)將顯示以下信息：
Write NV-RAM……………………………………………..Error
此錯(cuò)誤表明NV-RAM不能寫入，可能由于硬盤PCB板有問題，確定PCB板是否連接正常，或者RAM芯片不正常。
否則在Log頁(yè)將顯示以下信息：
Write NV-RAM……………………………………………..OK
3.）硬盤在指定超時(shí)時(shí)間內(nèi)無法就緒
此時(shí)在Log頁(yè)將顯示以下信息：
HDD cannot ready！
此錯(cuò)誤表明硬盤在掉電重啟的過程中在指定超時(shí)時(shí)間內(nèi)無法就緒，一直處于Busy燈常亮的狀態(tài)。由于用戶需要處理的硬盤實(shí)際情況各不相同，因此硬盤讀寫時(shí)間和就緒時(shí)間也各有不同，用戶可以在“校準(zhǔn)NV-RAM入口地址”參數(shù)設(shè)置對(duì)話框設(shè)置適當(dāng)?shù)某瑫r(shí)時(shí)間；或者在”工具?-> ATA超時(shí)設(shè)置”中設(shè)置適當(dāng)?shù)臅r(shí)間。
2.總結(jié)
由于程序默認(rèn)會(huì)讀取的是用戶扇區(qū)，如果用戶扇區(qū)本身就壞了或者有劃傷這將導(dǎo)致程序無論如何都無法正確讀取到數(shù)據(jù)，用戶數(shù)據(jù)區(qū)入口地址將無法校準(zhǔn)到正確值。
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